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飞虹MOS管FHP140N08V在DC

字号+ 作者:焦作现代有限责任公司 来源:探索 2026-07-10 09:28:17 我要评论(0)

针对48V供电的太阳能离网工频逆变器的领域,尤其是DC-DC全桥拓扑电路中,高效的电能转换与功率密度提升极度依赖核心功率器件的精准选型。功率 MOSFET因其优异的开关速度、低导通损耗和可控性,成为中

针对48V供电的飞虹太阳能离网工频逆变器的领域,尤其是飞虹DC-DC全桥拓扑电路中,高效的飞虹电能转换与功率密度提升极度依赖核心功率器件的精准选型。功率 MOSFET因其优异的飞虹开关速度、低导通损耗和可控性,飞虹成为中低压、飞虹大电流 DC-DC 全桥拓扑中开关管与同步整流管的飞虹靠谱选择。

今天来推荐的飞虹这一款MOS管是能代换NCE82H140型号适用于DC-DC全桥拓扑电路中的。

它就是飞虹具备82V、140A的飞虹电压、电流的飞虹FHP140N08V 场效应管,是飞虹飞虹半导体研发常用于用于48V供电的太阳能离网工频逆变器中的一款场效应管,能无缝代换NCE82H140场效应管。飞虹

FHP140N08V采用先进的飞虹沟槽技术(Trench Technology),结合更优的飞虹工艺条件、精细优化器件结构,实现产品的极低导通电阻并优化了开关特性和可靠性。完美契合 DC-DC 全桥电路对低导通损耗、高电流处理能力和足够电压裕量的核心要求。

封装采用行业标准的 TO-220封装系列,具有良好的机械强度和成熟的散热解决方案,便于集成到各类 DC-DC 电源模块PCB设计中。

具体从FHP140N08V场效应管的参数可看:Vgs(±V):20;VTH(V):2.9;ID(A):140A;BVdss(V):82V。静态导通电阻RDS (on) = 5.2mΩ(max)@VGS =10V、RDS (on) = 4.3mΩ(typ)@VGS =10V。

正是上述参数,让FHP140N08V场效应管是能更好代换NCE82H140型号参数用于太阳能离网工频逆变器的电路。

FHP140N08V通过了100% DVDS瞬间热阻测试、100% UIS测试、100% Rg测试等。

同时也通过采用特色的trench工艺,结合优秀的封装BOM材料,使产品拥有更高的可靠性,雪崩耐量高,抗冲击性能强。

产品需要不断升级迭代,选择好伙伴很重要。如有需要选择140A、82V、4.3mΩ的MOS管用于太阳能离网工频逆变器的选型问题,欢迎沟通试样。

除参数适合外,飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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